半导体参数分析仪
-
0/人使用者
-
0/次机时次数
-
0/小时总时长
-
0/次送样次数
-
0/人收藏者
-
收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
B1505A -
当前状态
-
管理员
15951945951 -
放置地点
浦口集成电路办学点
- 仪器信息
- 预约资源
- 附件下载
- 公告
- 同类仪器
名称
半导体参数分析仪
资产编号
00019050
型号
B1505A
规格
产地
厂家
所属品牌
出产日期
购买日期
2010-04-01
所属单位
集成电路科学与工程学院
使用性质
教学
所属分类
微纳电子中心
资产负责人
--
联系电话
15951945951
联系邮箱
放置地点
浦口集成电路办学点
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
主要规格&技术指标
所有模块的总功耗不得超过
84 W。按此要求, B1505A 可容纳下列
模块的任意组合:
● 4 块双槽 HPSMU 模块 1
● 10 块单槽 MPSMU 模块
● 2 块单槽 HCSMU 模块1
● 6 块单槽 MCSMU 模块
● 1 块双槽 HVSMU 模块
GNDU 随 B1505A 主机提供
输出电压 : 0 V±100 µV
最大阱电流 : ±4.2A
输出端/ 连接器 :
三轴连接器, 开尔文 (远地敏感)
负载电容: 1 µF
电缆电阻 :
对于 Is ≤ 1.6 A : 驱动线R < 1 Ω
对于 1.6 A < Is ≤ 2.0 A : 驱动线
R < 0.7 Ω
对于 2.0 A < Is ≤ 4.2 A : 驱动线
R < 0.35 Ω
在所有情况下，敏感线R< 10 Ω
这里 Is是流入 GNDU 的阱电流。
84 W。按此要求, B1505A 可容纳下列
模块的任意组合:
● 4 块双槽 HPSMU 模块 1
● 10 块单槽 MPSMU 模块
● 2 块单槽 HCSMU 模块1
● 6 块单槽 MCSMU 模块
● 1 块双槽 HVSMU 模块
GNDU 随 B1505A 主机提供
输出电压 : 0 V±100 µV
最大阱电流 : ±4.2A
输出端/ 连接器 :
三轴连接器, 开尔文 (远地敏感)
负载电容: 1 µF
电缆电阻 :
对于 Is ≤ 1.6 A : 驱动线R < 1 Ω
对于 1.6 A < Is ≤ 2.0 A : 驱动线
R < 0.7 Ω
对于 2.0 A < Is ≤ 4.2 A : 驱动线
R < 0.35 Ω
在所有情况下，敏感线R< 10 Ω
这里 Is是流入 GNDU 的阱电流。
主要功能及特色
适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A和10 kV；
中等电流测量和高电压偏置 (例如，500 mA，1200 V)；
uQ 导通电阻测量功能；
高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量；
在-50C 至 +250°C 温度范围内进行全自动热测试
中等电流测量和高电压偏置 (例如，500 mA，1200 V)；
uQ 导通电阻测量功能；
高电压偏置时，可进行精确的 sub-pA 电平电流测量；
在-50C 至 +250°C 温度范围内进行全自动热测试
预约资源
附件下载
公告
同类仪器
