氧化镓MOCVD半导体薄膜生长设备
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收费标准
机时0元/小时 -
设备型号
芯卓源 AXITRON CRIUS I -
当前状态
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管理员
张茂林 17812070778 -
放置地点
浦口集成电路办学点
- 仪器信息
- 预约资源
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名称
氧化镓MOCVD半导体薄膜生长设备
资产编号
00128424
型号
芯卓源 AXITRON CRIUS I
规格
产地
厂家
所属品牌
出产日期
购买日期
2023-04-03
所属单位
集成电路科学与工程学院
使用性质
科研
所属分类
微纳电子中心
资产负责人
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联系电话
17812070778
联系邮箱
放置地点
浦口集成电路办学点
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
主要规格&技术指标
(1)可在2 寸、4 寸蓝宝石衬底上生长B-Ga2O3 薄膜;
(2)片间厚度均匀性差异低于5%
(3)最高生长速率可达到2um/h
(2)片间厚度均匀性差异低于5%
(3)最高生长速率可达到2um/h
主要功能及特色
氧化镓MOCVD生长系统，主要用于高质量氧化镓半导体外延薄膜大尺寸可控生长。
预约资源
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公告
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